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Feb 18

NAND Multi-Level Cell (MLC)

La tecnología se desarrolló junto con Toshiba, que comparte con SanDisk el desarrollo y fabricación de las memorias flash avanzadas. Esta memoria de 16 gigabits (GB) emplea la tecnología flash estándar de 56 nanómetros (nm) de SanDisk y ofrece 20% más dados por oblea en el mismo nodo, en comparación con la NAND Multi-Level Cell (MLC) estándar (2 bits por celda). x3 ofrece mayor eficiencia en la manufactura y menores costos de los dados por la misma inversión de capital. La nueva arquitectura flash x3 ha estado en desarrollo durante los dos últimos años y emplea las innovaciones de diseño más avanzadas de la compañía para lograr el mismo desempeño y alta confiabilidad encontrada en los chips de 2 bits por celda de la firma.

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